高真空原子層沉積設(shè)備長期運(yùn)行后，腔室內(nèi)壁、工裝夾具會沉積非目標(biāo)薄膜副產(chǎn)物與殘留前驅(qū)體分解物，造成腔體污染，干擾后續(xù)薄膜沉積的均勻性與純度。雙腔室等離子體ALD設(shè)備利用分立腔室架構(gòu)，結(jié)合定向等離子體技術(shù)

原子層沉積（ALD）是高精度納米薄膜沉積核心技術(shù)，通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替通入反應(yīng)腔體，在基體表面完成化學(xué)吸附與定向反應(yīng)，逐層生成納米薄膜。該技術(shù)的自限性、自飽和特性，攻克傳統(tǒng)鍍膜工藝精度低、膜層不均

鋰離子電池正極材料在充放電過程中，會與電解液發(fā)生副反應(yīng)，造成金屬離子溶出、界面阻抗上升、結(jié)構(gòu)坍塌，制約電池循環(huán)壽命與安全性能。分子層沉積技術(shù)可在正極顆粒表面構(gòu)建納米級有機(jī)涂層，通過界面改性與結(jié)構(gòu)約束，

原子層沉積設(shè)備的薄膜均勻性、厚度精準(zhǔn)性，依賴前驅(qū)體蒸汽的定量、穩(wěn)定輸送。前驅(qū)體輸送系統(tǒng)中，氣泡發(fā)生器負(fù)責(zé)將液態(tài)前驅(qū)體轉(zhuǎn)化為飽和蒸汽，質(zhì)量流量控制器精準(zhǔn)調(diào)控蒸汽輸送通量，兩者的協(xié)同控制是保障ALD工藝穩(wěn)

原子層沉積技術(shù)可實(shí)現(xiàn)薄膜材料的原子級精準(zhǔn)厚度調(diào)控，傳統(tǒng)大型ALD設(shè)備體積龐大、成本高昂、操作復(fù)雜，難以適配高校教學(xué)與基礎(chǔ)科研的高頻次、多樣化試驗(yàn)需求。桌面式原子層沉積系統(tǒng)PALD設(shè)備通過低成本架構(gòu)優(yōu)化

鋰離子電池正極材料的性能短板，是制約電池循環(huán)壽命、安全性能、快充性能提升的核心瓶頸，通過精準(zhǔn)的包覆改性技術(shù)，可從材料界面、結(jié)構(gòu)、傳輸特性多維度優(yōu)化正極材料性能，是現(xiàn)階段鋰電池性能升級的核心關(guān)鍵技術(shù)。成

原子級薄膜是制造的核心基礎(chǔ)材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)器件、新能源、柔性電子等領(lǐng)域。想要實(shí)現(xiàn)納米級、原子級的均勻薄膜沉積，磁控濺射鍍膜機(jī)憑借精準(zhǔn)可控的物理氣相沉積技術(shù)，成為目前主流的精密制備裝備，精準(zhǔn)

量子鍍膜是精密鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用于光學(xué)器件、精密電子、量子傳感等領(lǐng)域，鍍膜層的均勻性、精度、穩(wěn)定性對設(shè)備運(yùn)行環(huán)境要求較高。潔凈度、振動干擾、電磁干擾是影響設(shè)備品質(zhì)的三大核心環(huán)境因素，設(shè)備通過多維度精準(zhǔn)