如何防止半導體加工中的電弧損傷？P.R.A. PHV系列低儲能電源是關鍵

電弧損傷的根源：能量失控

• 晶圓損傷： 局部高溫熔化電路，造成永的久的性的缺陷。

• 腔室污染： 電極或腔壁材料被濺射，污染整個工藝環境。

• 設備損壞： 高壓電源自身或其他敏感電子元件受損。

P.R.A. PHV系列：為防電弧而生的設計

1. 精確的過流保護，快速切斷危險

2. 優化的釋放（Release）序列，安全卸載電荷

• 自動反極性釋放： 在關閉吸附高壓（Chuck HV）后，電源會自動施加一個反向極性的“釋放電壓”（Release HV），以中和晶圓上殘留的電荷，幫助其平穩脫離。

• 精確時間控制： 釋放電壓的施加時間可通過前面板的數字開關精確設定（0.1 ~ 99.9 秒），確保電荷被完的全的中和，避免因電荷殘留導致的意外放電。

• 安全放電： 釋放序列結束后，電源會通過內部集成的放電電阻（Bleeder Resistor）將輸出端的殘余電壓安全泄放至 50V 以下，確保操作安全。

3. 穩定的輸出特性，從源頭減少異常

• 低紋波（Low Ripple）： 輸出電壓紋波被嚴格控制在設定值的 ±0.5% 以內，減少了電壓波動帶來的不確定性。

• 高穩定性： 無論是負載變化還是電源電壓波動，其輸出變動率均能保持在 0.5% 以內，確保了工藝過程的持續穩定。

綜上所述，P.R.A. 的 PHV 系列低儲能高壓電源并非簡單地提供一個高壓，而是通過快速過流保護、智能電荷釋放序列和高穩定性輸出等一系列組合策略，系統性地解決了半導體加工中的電弧損傷難題，是保障高的端的制造工藝良率與設備安全的可靠選擇。


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